图三、低碳ASE性能（a）在λex=330nm时，将PLQY值（右纵坐标）和ASE阈值能量（左纵坐标）绘制为(Dfpypy)2Ir(pic)混合膜的F8BT分数函数。

所以不管是生长半导体异质结还是氧化物异质结，减排家电洁人们都要刻意挑选合适的材料进行组合，这也是限制异质结研究的重要原因。参考文献：成共1.OhtomoAHwangHY(2004)Ahigh-mobilityelectrongasattheLaAlO3/SrTiO3heterointerface.Nature427(6973):423-426.2.DeanCR,etal.(2010)Boronnitridesubstratesforhigh-qualitygrapheneelectronics.5(10):722.3.WangL,etal.(2013)One-dimensionalelectricalcontacttoatwo-dimensionalmaterial.342(6158):614-617.4.GeimAKGrigorievaIV(2013)VanderWaalsheterostructures.Nature499:419.5.於逸骏，成共张远波(2017)从二维材料到范德瓦尔斯异质结.46(4):205-213.6.NovoselovKS,etal.(2004)Electricfieldeffectinatomicallythincarbonfilms.306(5696):666-669.7.YankowitzM,etal.(2012)EmergenceofsuperlatticeDiracpointsingrapheneonhexagonalboronnitride.NaturePhysics8:382.8.PonomarenkoLA,etal.(2013)CloningofDiracfermionsingraphenesuperlattices.Nature497:594.9.DeanCR,etal.(2013)HofstadtersbutterflyandthefractalquantumHalleffectinmoirésuperlattices.Nature497:598.10.HuntB,etal.(2013)MassiveDiracFermionsandHofstadterButterflyinavanderWaalsHeterostructure.340(6139):1427-1430.11.YuGL,etal.(2014)HierarchyofHofstadterstatesandreplicaquantumHallferromagnetismingraphenesuperlattices.NaturePhysics10:525.12.WoodsCR,etal.(2014)Commensurate–incommensuratetransitioningrapheneonhexagonalboronnitride.NaturePhysics10:451.13.AvsarA,etal.(2014)Spin–orbitproximityeffectingraphene.NatureCommunications5:4875.14.WangZ,etal.(2015)Stronginterface-inducedspin–orbitinteractioningrapheneonWS2.NatureCommunications6:8339. 往期回顾：梳理：二维材料的发展离不开这些热点材料的突破性进展盘点近几年在二维材料中发现的铁磁性被引杀手—-二维材料发展的里程碑文章金属二维材料的所有合成策略你都了解么？本文由材料人科技顾问WSY 供稿，材料人编辑部Alisa编辑。

1、识国司清从闪存的发明讲起1967年，识国司清贝尔实验室的年轻科学家施敏与同事姜大元休息吃甜点时（施敏口述当时是因为姜同学午饭没吃饱所以跑去吃点心），一层又一层的涂酱触动他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体（Flash），随后两人发表了第一篇关于非挥发性内存的论文浮栅非挥发性半导体内存单元，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术，开启了存储技术的新时代。现在，展再人们已经在二维材料构建的异质结中观测到许多令人兴奋的物理现象。比如，提速石墨烯在六方氮化硼上出现的莫尔条纹导致二次狄拉克点的形成(7-11)，在相同系统中公度-无公度相变导致表面重建(12)和带隙的打开。

目前，低碳范德瓦尔斯异质结构逐渐发展成为研究二维材料的主要平台。减排家电洁（i）先将h-BN单晶机械剥离到涂覆有285nm热氧化物的硅晶片上。

当两种物质的晶格常数相差过大或存在对称性的差异,会在生长界面附近产生应力,进而产生晶体缺陷，成共这种现象被称为晶格失配。

识国司清不同的二维材料可以通过层间范德瓦尔斯力作用结合组成异质结。通过范德瓦尔斯力作用结合，展再这类异质结构允许比任何传统生长方法更多的组合，展再并且随着技术的提高，异质结的精度可以用单原子层计算，帮助我们在垂直方向堆叠组合多种二维材料时，可以观察到微弱的物理现象。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，提速投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。然而，低碳层间的电荷转移量可能非常大，从而产生大的电场并提供调节能带结构的可能性。

所以不管是生长半导体异质结还是氧化物异质结，减排家电洁人们都要刻意挑选合适的材料进行组合，这也是限制异质结研究的重要原因。参考文献：成共1.OhtomoAHwangHY(2004)Ahigh-mobilityelectrongasattheLaAlO3/SrTiO3heterointerface.Nature427(6973):423-426.2.DeanCR,etal.(2010)Boronnitridesubstratesforhigh-qualitygrapheneelectronics.5(10):722.3.WangL,etal.(2013)One-dimensionalelectricalcontacttoatwo-dimensionalmaterial.342(6158):614-617.4.GeimAKGrigorievaIV(2013)VanderWaalsheterostructures.Nature499:419.5.於逸骏，成共张远波(2017)从二维材料到范德瓦尔斯异质结.46(4):205-213.6.NovoselovKS,etal.(2004)Electricfieldeffectinatomicallythincarbonfilms.306(5696):666-669.7.YankowitzM,etal.(2012)EmergenceofsuperlatticeDiracpointsingrapheneonhexagonalboronnitride.NaturePhysics8:382.8.PonomarenkoLA,etal.(2013)CloningofDiracfermionsingraphenesuperlattices.Nature497:594.9.DeanCR,etal.(2013)HofstadtersbutterflyandthefractalquantumHalleffectinmoirésuperlattices.Nature497:598.10.HuntB,etal.(2013)MassiveDiracFermionsandHofstadterButterflyinavanderWaalsHeterostructure.340(6139):1427-1430.11.YuGL,etal.(2014)HierarchyofHofstadterstatesandreplicaquantumHallferromagnetismingraphenesuperlattices.NaturePhysics10:525.12.WoodsCR,etal.(2014)Commensurate–incommensuratetransitioningrapheneonhexagonalboronnitride.NaturePhysics10:451.13.AvsarA,etal.(2014)Spin–orbitproximityeffectingraphene.NatureCommunications5:4875.14.WangZ,etal.(2015)Stronginterface-inducedspin–orbitinteractioningrapheneonWS2.NatureCommunications6:8339. 往期回顾：梳理：二维材料的发展离不开这些热点材料的突破性进展盘点近几年在二维材料中发现的铁磁性被引杀手—-二维材料发展的里程碑文章金属二维材料的所有合成策略你都了解么？本文由材料人科技顾问WSY 供稿，材料人编辑部Alisa编辑。